8英寸射頻測(cè)試探針臺(tái)MPS200T
應(yīng)用方向:主要用于GaAs射頻芯片S參數(shù)測(cè)試、GaN/SiC功率器件的IV參數(shù)測(cè)...
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18502873311應(yīng)用方向:主要用于GaAs射頻芯片S參數(shù)測(cè)試、GaN/SiC功率器件的IV參數(shù)測(cè)...
MPS100S探針臺(tái)設(shè)計(jì)具有可升級(jí)和擴(kuò)展性,例如可升級(jí)阻抗測(cè)量(配合阻抗分析儀E...
低溫液氦探針臺(tái)特征1.真空腔體:真空度優(yōu)于6×10-3Pa。降溫后優(yōu)于6×10-...
應(yīng)用方向:主要用于GaAs射頻芯片S參數(shù)測(cè)試、GaN/SiC功率器件的IV參數(shù)測(cè)...
應(yīng)用方向:MPS150B主要用于基本的MOSFET、CMOS片、GaN芯片、RF...
應(yīng)用方向:MPS150A主要用于基本的MOSFET、CMOS片、GaN芯片、RF...